Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures

Počet záznamov: 1

Názov	Generation of hole gas in non-inverted InAl(Ga)N/GaN heterostructures
Autor	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Vančo L.
	Veselý M.
	Bouazzaoui F.
	Chauvat M.-P.
	Ruterana P.
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Applied Physics Express. Vol. 12 (2019), no. 014001
Jazyk dok.	eng - angličtina
URL	URL link
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	MURUGAPANDIYAN, P. - MOHANBABU, A. - LAKSHMI, V.R. - WASIM, M. - SUNDARAM, K.M. Investigation of Quaternary Barrier InAlGaN/GaN/AlGaN Double-Heterojunction High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) for High-Speed and High-Power Applications. In JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. ISSN 0361-5235, JAN 2020, vol. 49, no. 1, SI, p. 524-529.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2019
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.7567/1882-0786/aaef41

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Generation of hole gas in non-inverted InAl.pdf	Neprístupný/archív	605.7 KB	0	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2019	2018	2.772	Q2	0.924	Q1

Počet záznamov: 1