Počet záznamov: 1
Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures
Názov Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Drobný J. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 91 (2019), p. 356-361 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy NGUYEN, D.D. - SUZUKI, T.K. Interface charge engineering in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices. In JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-8979, MAR 7 2020, vol. 127, no. 9. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1016/j.mssp.2018.12.012 článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2019 2018 2.722 Q2 0.633 Q2
Počet záznamov: 1