Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures

Počet záznamov: 1

Názov	Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabilities in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures
Autor	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Drobný J. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hashizume T.
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Materials science in semiconductor processing. Vol. 91 (2019), p. 356-361
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	NGUYEN, D.D. - SUZUKI, T.K. Interface charge engineering in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices. In JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-8979, MAR 7 2020, vol. 127, no. 9.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2019
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.mssp.2018.12.012

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2019	2018	2.722	Q2	0.633	Q2

Počet záznamov: 1