Počet záznamov: 1
Evidence of relationship between strain and In-incorporation: growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD
Názov Search for single production of a vectorlike T quark decaying into a Higgs boson and top quark with fully hadronic final states using the ATLAS detector Spoluautori Aad G. Abbott B. Abbott D.C. Abed Abud A. Abeling K. Minj A. Gucmann Filip 1987 ORCID Vančo L. Kováč Jaroslav Jr. Kret S. Ruterana P. Kuball M. Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ORCID Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 125, no. 10 (2019), 105304 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy BISWAS, Debaleen - FUJITA, Hirotaka - TORII, Naoki - EGAWA, Takashi. Effect of In composition on electrical performance of AlInGaN/GaN-based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors (MIS-HEMTs) on Si. In JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-8979, 2019, vol. 125, no. 22, pp. TOPRAK, A. - YILMAZ, D. - OZBAY, E. Selectively dry etched of p-GaN/InAlN heterostructures using BCI3-based plasma for normally-off HEMT technology. In MATERIALS RESEARCH EXPRESS. DEC 2021, vol. 8, no. 12, 126302. WANG, Xianbin - GAO, Yanyan - ZHOU, Shufen. Theoretical Analysis of Material Mechanism and Device Characteristics in N-Polar GaN/Ininf0.17/infAlinf0.83/infN High Electron Mobility Transistor. In Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao/Journal of Vacuum Science and Technology, 2022-02-01, 42, 2, pp. 151-158. ISSN 16727126. Dostupné na: https://doi.org/10.13922/j.cnki.cjvst.202106008. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1063/1.5079756 
článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Evidence of relationship between strain and In.pdf Neprístupný/archív 2.3 MB 0 Vydavateľská verzia Evidence of relationship between strain and In-incorporation growth of N-polar In-rich InAlN buffer layer by OMCVD.pdf Prístupný 1.6 MB 13 Postprint rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2019 2018 2.328 Q2 0.746 Q2
Počet záznamov: 1