Počet záznamov: 1
Compact modeling of complementary resistive switching devices using memdiodes
Názov Compact modeling of complementary resistive switching devices using memdiodes Autor Miranda E. Spoluautori Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 66 (2019), p. 2831-2836 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy VISHWAKARMA, Kavita - KISHORE, Rishabh - DATTA, Arnab. Eight-Level/Cell Storage by Tuning the Spatial Distribution of Dielectrics in a Tri-Layer ReRAM Cell: Electrical Characteristics and Reliability. In IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2021, vol. 21, no. 4, pp. 587-593. ISSN 1530-4388. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/TDMR.2021.3120966. GUITARRA, S. - TACO, R. - GAVILáNEZ, M. - YéPEZ, J. - ESPINOZA, U. Assessment of a universal logic gate and a full adder circuit based on CMOS-memristor technology. In SOLID-STATE ELECTRONICS. ISSN 0038-1101, SEP 2023, vol. 207. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108704. LI, C.Y. - HSU, T.H. - HUANG, C.L. Reliable RRAM devices utilizing sol-gel derived amorphous Ce2Ti2O7 thin films. In JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS. ISSN 0925-8388, OCT 25 2023, vol. 961. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2023.170987. WANG, L. - ZUO, Z. - WEN, D.Z. Realization of Artificial Nerve Synapses Based on Biological Threshold Resistive Random Access Memory. In ADVANCED BIOLOGY. ISSN 2701-0198, JUN 2023, vol. 7, no. 6. Dostupné na: https://doi.org/10.1002/adbi.202200298. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1109/TED.2019.2913322 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2019 2018 2.704 Q2 0.853 Q1
Počet záznamov: 1