Počet záznamov: 1
InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region
Názov InGaN/(GaN)/AlGaN/GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Tóth L. Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Cora Ildikó Fogarassy Zsolt Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Oyobiki T. Pécz B. Hashizume T. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 58 (2019), no. SCCCD21 Jazyk dok. eng - angličtina URL URL link Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy BISWAS, D. - TSUBOI, T. - EGAWA, T. GaN/InGaN double quantum well (DQW) gate structure for GaN-on-Si based normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). In MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. ISSN 1369-8001, NOV 15 2021, vol. 135. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2019 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.7567/1347-4065/ab06b8 
článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence InGaN (GaN) AlGaN GaN normally-off metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors with etched access region.pdf Neprístupný/archív 855.4 KB 0 Vydavateľská verzia rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2019 2018 1.471 Q3 0.471 Q1
Počet záznamov: 1