Počet záznamov: 1  

Electrical properties of detector Schottky diodes based on 4H-SiC high quality epitaxial layer

  1. NázovElectrical properties of detector Schottky diodes based on 4H-SiC high quality epitaxial layer
    Autor Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Šagátová A.

    Sekáčová Mária 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Nečas V.

    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings : Applied Physics of Condensed Matter (APCOM 2019). Vol. 2131 (2019), no. 020054
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2019
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    DOI 10.1063/1.5119507
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    N
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201920180.182
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.