Investigation of threshold voltage instabilities in MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs

Počet záznamov: 1

Názov	Investigation of threshold voltage instabilities in MOS-gated InGaN/AlGaN/GaN HEMTs
Autor	Pohorelec Ondrej SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	ADEPT 2019 : 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 123-126. - Žilina, Slovakia : University of Žilina, 2019 / Jandura D. ; Šušlik Ľ. ; Urbancová P. ; Kováč J., jr. ; ADEPT 2019 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2019

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2019

Počet záznamov: 1