Počet záznamov: 1  

The effect of Xe ion irradiation on the properties of SiC(P) and SiC(B) film prepared by PECVD technology

  1. NázovThe effect of Xe ion irradiation on the properties of SiC(P) and SiC(B) film prepared by PECVD technology
    Autor Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Skuratov V.A.

    Kleinová Angela 1960- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV    ORCID

    Sasinková Vlasta 1954- SAVCHEM - Chemický ústav SAV

    Kobzev A.P.

    Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Zdroj.dok. ADEPT 2019 : 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 155-158. - Žilina, Slovakia : University of Žilina, 2019 / Jandura D. ; Šušlik Ľ. ; Urbancová P. ; Kováč J., jr. ; ADEPT 2019 7th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2019
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2019
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.