Počet záznamov: 1
A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation
Názov A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation Autor Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Vančo L. Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ORCID Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kováč Jaroslav Jr. Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV SCOPUS ORCID Kuball M. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. CrystEngComm. Vol. 22 (2020), p. 130-141 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1039/c9ce01549c článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence A systematic study of MOCVD reactor conditions.pdf Neprístupný/archív 5.7 MB 0 Vydavateľská verzia rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2020 2019 3.117 Q2 0.814 Q1
Počet záznamov: 1