A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation

Počet záznamov: 1

Názov	A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memory effect on properties of thick InAl(Ga)N layers: A complete depth-resolved investigation
Autor	Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Vančo L.
	Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^ORCID
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kováč Jaroslav Jr.
	Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^SCOPUS ^ORCID
	Kuball M.
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	CrystEngComm. Vol. 22 (2020), p. 130-141
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2020
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1039/c9ce01549c

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	A systematic study of MOCVD reactor conditions.pdf	Neprístupný/archív	5.7 MB	0	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2020	2019	3.117	Q2	0.814	Q1

Počet záznamov: 1