Počet záznamov: 1
Schottky barrier height inhomogeneity in 4H-SiC surface barrier detectors
Názov Schottky barrier height inhomogeneity in 4H-SiC surface barrier detectors Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Applied Surface Science. Vol. 533 (2020), no. 147389 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy FENG, Boyuan - HE, Tao - HE, Gaohang - ZHANG, Xiaodong - WU, Ying - CHEN, Xiao - LI, Zhengcheng - ZHANG, Xinping - JIA, Zhitai - NIU, Gang - GUO, Qixin - ZENG, Zhongming - DING, Sunan. Reduction of MOS interfacial states between beta-Ga2O3 and Al2O3 insulator by self-reaction etching with Ga flux. In APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, vol. 118, no. 18, pp. ISSN 0003-6951. Dostupné na: https://doi.org/10.1063/5.0048311. OZDEMIR, A. F. - GOKSU, T. - YILDIRIM, N. - TURUT, A. Effects of measurement temperature and metal thickness on Schottky diode characteristics. In PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2021, vol. 616, no., pp. ISSN 0921-4526. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.physb.2021.413125. YAN, Q.L. - GONG, H.H. - ZHOU, H. - ZHANG, J.C. - YE, J.D. - LIU, Z.H. - WANG, C.L. - ZHENG, X.F. - ZHANG, R. - HAO, Y. Low density of interface trap states and temperature dependence study of Ga2O3 Schottky barrier diode with p-NiOx termination. In APPLIED PHYSICS LETTERS. ISSN 0003-6951, FEB 28 2022, vol. 120, no. 9. Dostupné na: https://doi.org/10.1063/5.0082377. DUMAN, S. - TURUT, A. - DOGAN, S. Thermal sensitivity and barrier height inhomogeneity in thermally annealed and un-annealed Ni/n-6H-SiC Schottky diodes. In SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL. ISSN 0924-4247, MAY 1 2022, vol. 338. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.sna.2022.113457. HUANG, L.Q. - MA, Y. - PAN, S.M. - ZHU, J. - GU, X.G. Barrier properties and current conduction mechanism for metal contacts to lightly and highly doped p-type 4H-SiC. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-4922, JAN 1 2022, vol. 61, no. 1. Dostupné na: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac408c. MALLIK, G. - KABIRAJ, A. - DASH, P.P. - KUMARI, P. - SAHOO, P.K. - SAHOO, U.P. - RATH, S. Schottky junction based solar cell behavior of trichome hierarchical SnOsub2/sub nano-structures. In OPTICAL MATERIALS. ISSN 0925-3467, OCT 2023, vol. 144. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.optmat.2023.114306. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2020 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1016/j.apsusc.2020.147389 
článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Schottky barrier height inhomogeneity in 4H-SiC.pdf Neprístupný/archív 1.1 MB 2 Vydavateľská verzia rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2020 2019 6.182 Q1 1.230 Q1
Počet záznamov: 1