Počet záznamov: 1
Reliability Issues in GaN electronic devices
Názov Reliability Issues in GaN electronic devices Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Koller C. Zdroj.dok. Nitride semiconductor technology : power electronics and optoelectronic devices. P. 199-253. - Weinheim : Wiley-VCH, 2020 / Roccaforte F. ; Leszczynski M. Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Ohlasy WANG, H. - BLAABJERG, F. Power Electronics Reliability: State of the Art and Outlook. In IEEE JOURNAL OF EMERGING AND SELECTED TOPICS IN POWER ELECTRONICS. ISSN 2168-6777, DEC 2021, vol. 9, no. 6, p. 6476-6493. SINNWELL, M. - DOERING, P. - DRIAD, R. - DAMMANN, M. - MIKULLA, M. - QUAY, R. Deep-level characterization of GaN-on-GaN current aperture vertical electron transistors. In 2021 IEEE 8TH WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS (WIPDA). 2021, p. 277-282. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/WiPDA49284.2021.9645137. DöRING, P. - SINNWELL, M. - MüLLER, S. - CZAP, H. - DRIAD, R. - BRüCKNER, P. - KöHLER, K. - KIRSTE, L. - MIKULLA, M. - QUAY, R. A Study on the Performance of AlGaN/GaN HEMTs Regrown on Mg-Implanted GaN Layers With Low Channel Thickness. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. ISSN 0018-9383, MAR 2023, vol. 70, no. 3, p. 947-952. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/TED.2023.3237803. ZAFAR, S. - DURNA, Y. - KOCER, H. - AKOGLU, B.C. - ARAS, Y.E. - ODABASI, O. - BUTUN, B. - OZBAY, E. Unveiling Tsubmax/sub Inside GaN HEMT Based X-Band Low-Noise Amplifier by Correlating Thermal Simulations and IR Thermographic Measurements. In IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY. ISSN 1530-4388, MAR 2023, vol. 23, no. 1, p. 72-79. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/TDMR.2022.3230646. Kategória ABC - Kapitoly vo vedeckých monografiách vydané v zahraničných vydavateľstvách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu kapitola Rok vykazovania 2020 
článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Reliability Issues_FrontMatter.pdf Prístupný 129.3 KB 6 Vydavateľská verzia Reliability Issues in GaN Electronic Devices.pdf Neprístupný/archív 3.2 MB 3 Postprint rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2020
Počet záznamov: 1