MOS2/GAP heterojunction - formation and properties

Počet záznamov: 1

Názov	MOS2/GAP heterojunction - formation and properties
Autor	Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kováč Jaroslav Jr.
	Kováč Jaroslav

Zdroj.dok.	Proceedings of the International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 21-24 : ADEPT 2020. - Slovakia : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2020 / Kováč, jr. J. ; Chymo F. ; Feiler M. ; Jandura D. ; International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (ADPET 2020)
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2020

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	MOS2 GAP heterojunction formation and properties.pdf	Prístupný	1.2 MB	0	Vydavateľská verzia

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2020

Počet záznamov: 1