Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMTs

Počet záznamov: 1

Názov	Device and circuit models of monolithic InAlN/GaN NAND and NOR logic cells comprising D- and E-mode HEMTs
Autor	Chvála A.
Spoluautori	Nagy L.
	Marek J.
	Priesol J.
	Donoval D.
	Šatka A.
	Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Journal of Circuits, Systems and Computers : Special Issue on Design, Technology, and Test of Integrated Circuits and Systems. Vol. 19 (2019), no. 1940009
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	LV, Z.H. - XU, Z.W. - SONG, C.Y. A compact model for dual-gate GaAs PHEMT and application for power amplifier design. In IEICE ELECTRONICS EXPRESS. ISSN 1349-2543, OCT 25 2021, vol. 18, no. 20.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2019
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1142/S0218126619400097

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Device and Circuit Models of Monolithic InAlN.pdf	Neprístupný/archív	1.2 MB	0	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2019	2018	0.939	Q4	0.220	Q3

Počet záznamov: 1