Počet záznamov: 1
Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaN/GaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer
Názov Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaN/GaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer Autor Mikulics M. Spoluautori Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sofer Z. Mayer J. Hartdegen H. Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 36 (2021), no. 095040 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy BHARDWAJ, N. - UPADHYAY, B.B. - YADAV, Y.K. - SURAPANENI, S. - GANGULY, S. - SAHA, D. Thermally grown Nb-oxide for GaN-based MOS-diodes. In APPLIED SURFACE SCIENCE. ISSN 0169-4332, JAN 15 2022, vol. 572. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.151332. Liu, Y., Chen, S., Cheng, Z., Wang, T., Huang, C., Jiang, G., Zhang, H., Cai, Y.: Temperature dependence of the strain of the AlGaN barrier layer under the gate in AlGaN/AlN/GaN HFETs In Micro and NanostructuresVolume 164 (2022) Article number 107160. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2021 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1088/1361-6641/ac1a28 
článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaNGaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer.pdf Prístupný 2.7 MB 0 Vydavateľská verzia rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2021 2020 2.352 Q3 0.712 Q1
Počet záznamov: 1