Properties of Si-SiO2 Interfaces in MOS structures with nitrogen-doped silicon

Počet záznamov: 1

Názov	Properties of Si-SiO2 Interfaces in MOS structures with nitrogen-doped silicon
Autor	Harmatha L.
Spoluautori	Ballo P.
	Breza J.
	Písečný Pavol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Ťapajna Milan 1977 ^ORCID

Zdroj.dok.	Advances in Electrical and Electronic Engineering. Vol. 5 (2006), p. 334-336
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	CIBIRA, G. Silicon Resistivity Behaviour. In ADVANCES IN ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING. ISSN 1336-1376, JUN 2021, vol. 19, no. 2, p. 179-185.
Kategória	ADFB - Vedecké práce v ostatných domácich časopisoch neimpaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2006

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	N

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2006

Počet záznamov: 1