Počet záznamov: 1
Optimalization of SiCl4 – based reactive ion etching and nickel hard mask for GaN on GaN vertical structures
Názov Optimalization of SiCl4 – based reactive ion etching and nickel hard mask for GaN on GaN vertical structures Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 9th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia. P. 163-166. - Žilina : Univ. Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2021 / Jandura D. ; Maniaková P. ; Lettrichová I. ; Kováč Jaroslav Jr. Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2021 
článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Optimalization of SiCl4 – based reactive ion etching and nickel hard mask for GaN on GaN vertical structures.pdf Prístupný 656.5 KB 2 Vydavateľská verzia rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2021
Počet záznamov: 1