Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique

Priesol, J.; Šatka, Alexander; Chvála, A.; Stoffels, S.; De Jaeger, B.; Decoutere, S.

doi:https://dx.doi.org/10.1109/TED.2020.3039756

Počet záznamov: 1

Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique

Title	Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique
Author	Priesol J.
Co-authors	Šatka Alexander 1960 SAVMER - Ústav merania SAV ^SCOPUS ^RID ^ORCID
	Chvála A.
	Stoffels S.
	De Jaeger B.
	Decoutere S.

Source document	IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68, no. 1 (2021), p. 216-221
Language	eng - English
Country	US - United States of America
Document kind	rozpis článkov z periodík (rbx)
Category	ADCA - Scientific papers in foreign journals registered in Current Contents Connect with IF (impacted)
Category of document (from 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Type of document	článok
Year	2021
Registered in	WOS
Registered in	SCOPUS
Registered in	CCC
DOI	10.1109/TED.2020.3039756

článok

	File name	Access	Size	Downloaded	Type	License
	Identification of electrically stressed regions.pdf	Neprístupný/archív	2 MB	1	Publisher's version

Source document

Český a slovenský literární klasicismus : synopticko-pulzační model kulturního jevu. S. 492-509. - Brno : Host, 2017 / Tureček Dalibor 1957- ; Zajac Peter 1946- ; Stehlíková Eva ; Chmel Rudolf 1939- ; Kudrnáč Jiří ; GA ČR P406/12/0347 Diskurzivita literatury 19. století v česko-slovenském kontextu

Language

slo - Slovak

Country

CZ - Czech Republic

Document kind

rozpis článkov z kníh (kapitoly)

EPCA

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2021	2020	2.917	Q2	0.828	Q1

Počet záznamov: 1