Počet záznamov: 1  

Temperature dependence of electrical behaviour of inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky diodes

  1. NázovTemperature dependence of electrical behaviour of inhomogeneous Ni/Au/4H–SiC Schottky diodes
    Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Zdroj.dok. Materials science in semiconductor processing. Vol. 140 (2022), no. 106413
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaGB - Veľká Británia
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyDENIZ, A.R. - CALDIRAN, Z. - TASYUREK, L.B. Electrical characteristics of Al2O3/p-Si heterojunction diode and effects of radiation on the electrical properties of this diode. In JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. ISSN 0957-4522, DEC 2022, vol. 33, no. 36, p. 26954-26965. Dostupné na: https://doi.org/10.1007/s10854-022-09359-3.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2022
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1016/j.mssp.2021.106413
    článok

    článok

    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Temperature dependence of electrical behaviour of inhomogeneous NiAu.pdfNeprístupný/archív2.4 MB2Vydavateľská verzia
    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    202220214.644Q20.687Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.