Investigation of a nanostructured GaP/MoS2 p-n heterojunction photodiode

Počet záznamov: 1

Názov	Investigation of a nanostructured GaP/MoS2 p-n heterojunction photodiode
Autor	Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Sojková Michaela 1980 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kováč Jaroslav Jr.
	Kováč Jaroslav

Zdroj.dok.	AIP Advances. Vol. 12 (2022), no. 065004
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	LATE, D.J. - WIEMER, C. Advances in low dimensional and 2D materials. In AIP ADVANCES. NOV 1 2022, vol. 12, no. 11. Dostupné na: https://doi.org/10.1063/5.0129120.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2022
Registrované v	WOS
Registrované v	CCC
DOI	10.1063/5.0089842

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Investigation of a nanostructured GaP.pdf	Prístupný	4.6 MB	2	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2022	2021	1.697	Q3	0.375	Q3

Počet záznamov: 1