Optimization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures

Počet záznamov: 1

Názov	Optimization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures
Autor	Izsák Tibor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Zehetner J.
	Vojs M.
	Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Proceedings of ADEPT 2021 : 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia. P. 169-172. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022 / Feiler M. ; Ziman M. ; Kováčová S. ; Kováč Jaroslav Jr.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	SK - Slovenská republika
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok z podujatia
Rok vykazovania	2022

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Optimization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures.pdf	Prístupný	511.6 KB	2	Vydavateľská verzia

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2022

Počet záznamov: 1