Počet záznamov: 1
Growth and properties of Ga2O3 on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD
Názov Growth and properties of Ga2O3 on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Proceedings of ADEPT 2021 : 10th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Tatranská Lomnica, High Tatras, Slovakia. P. 47-50. - Žilina : University of Zilina in EDIS-Publishing Centre of UZ, 2022 / Feiler M. ; Ziman M. ; Kováčová S. ; Kováč Jaroslav Jr. Jazyk dok. eng - angličtina Krajina SK - Slovenská republika Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 
článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Growth and properties of Ga2O3 on 4H-SiC using liquid-injection MOCVD.pdf Prístupný 605.9 KB 2 Vydavateľská verzia rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2022
Počet záznamov: 1