In(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD

Počet záznamov: 1

Názov	In(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD
Autor	Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Nanomaterials-Basel. Vol. 12 (2022), no. 3496
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	CH - Švajčiarsko
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2022
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.3390/nano12193496

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	In(Ga)N 3D Growth on GaN-Buffered On-Axis and Off-Axis (0001) Sapphire Substrates by MOCVD.pdf	Prístupný	5.4 MB	5	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2022	2021	5.719	Q1	0.839	Q1

Počet záznamov: 1