Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN

Počet záznamov: 1

Názov	Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN
Autor	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok z podujatia
Rok vykazovania	2022

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Interface states analysis of Al2O3GaN MOS capacitors with semi-insulating.pdf	Neprístupný/archív	374.4 KB	0	Autorský preprint

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2022

Počet záznamov: 1