Počet záznamov: 1  

Interface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN

  1. NázovInterface states analysis of Al2O3/GaN MOS capacitors with semi-insulating C-doped GaN
    Autor Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Zdroj.dok. ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 15-16. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaUS - Spojené štáty
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania2022
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2022
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.