Počet záznamov: 1
Structural and electrical properties of Ga2O3 transistors grown on 4H-SiC substrates
Názov Structural and electrical properties of Ga2O3 transistors grown on 4H-SiC substrates Autor Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kubranská A. SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. ASDAM 2022 : Conference Proceedings. P. 115-118. - : IEEE, 2022 / Marek Juraj ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Jazyk dok. eng - angličtina Krajina US - Spojené štáty Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok vykazovania 2022 
článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2022
Počet záznamov: 1