Highly homogeneous 2D/3D heterojunction diodes  by pulsed laser deposition of MoS2 on ion implantation doped 4H-SiC

Počet záznamov: 1

Názov	Highly homogeneous 2D/3D heterojunction diodes by pulsed laser deposition of MoS2 on ion implantation doped 4H-SiC
Autor	Giannazzo F.
Spoluautori	Panasci S.E.
	Schilirò E.
	Fiorenza P.
	Greco G.
	Roccaforte F.
	Cannas M.
	Agnello S.
	Koos A.
	Pécz B.
	Španková Marianna 1969 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Chromik Štefan 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	. Vol. 10 (2023), no. 2201502 Advanced Materials Interfaces
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	GB - Veľká Británia
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	Xiong, H., Mao, W., Wang, R., Liu, S., Zhang, N., Song, L., Yang, D., Pi, X.: Characterizations on the doping of single-crystal silicon carbide In Materials Today Physics Volume 29 (2022) Article no. 100906
	Ding, C., Ma, H.: Heteroepitaxial MoS2 on Wide Bandgap Semiconductors: A Review In 2023 20th China International Forum on Solid State Lighting and 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors, SSLCHINA: IFWS 2023 pp. 1-5
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2023
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1002/admi.202201502

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Highly homogeneous 2D 3D heterojunction diodes by pulsed laser deposition of MoS2.pdf	Prístupný	4.3 MB	2	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2023	2022	5.4	Q2	1.315	Q1

Počet záznamov: 1