Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire

Počet záznamov: 1

Názov	Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire
Autor	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Blaho Michal 1983
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Nádaždy Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Materials science in semiconductor processing. Vol. 156 (2023), no. 107290
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	GB - Veľká Británia
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2023
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.mssp.2022.107290

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Growth of N-polar In-rich InAlN by metal organic chemical vapor deposition on on- and off-axis sapphire.pdf	Neprístupný/archív	3.9 MB	0	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2023	2022	4.1	Q2	0.688	Q1

Počet záznamov: 1