Conductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused by (010) β-Ga2O3 filament-shaped inclusions

Počet záznamov: 1

Názov	Conductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused by (010) β-Ga2O3 filament-shaped inclusions
Autor	Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Journal of Physics D: Applied Physics. Vol. 56 (2023), no. 045102
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	GB - Veľká Británia
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2023
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1088/1361-6463/aca775

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Conductance anisotropy of MOCVD-grown.pdf	Neprístupný/archív	2.8 MB	0	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2023	2022	3.4	Q2	0.689	Q1

Počet záznamov: 1