Vertical GaN transistor with semi-insulating channel

Počet záznamov: 1

Názov	Vertical GaN transistor with semi-insulating channel
Autor	Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hashizume T.
	Chvála A.
	Šatka A.
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Physica Status Solidi A : applications and materials science : Special Issue: Nitride Semiconductors. Vol. 220 (2023), no. SI2200776
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	DE - Nemecko
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok z podujatia
Rok vykazovania	2023
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1002/pssa.202200776

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Vertical GaN Transistor with Semi-Insulating Channe.pdf	Neprístupný/archív	1 MB	0	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2023	2022	2	Q3	0.477	Q2

Počet záznamov: 1