Počet záznamov: 1
Vertical GaN transistor with semi-insulating channel
Názov Vertical GaN transistor with semi-insulating channel Autor Šichman Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hashizume T. Chvála A. Šatka A. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Physica Status Solidi A : applications and materials science : Special Issue: Nitride Semiconductors. Vol. 220 (2023), no. SI2200776 Jazyk dok. eng - angličtina Krajina DE - Nemecko Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok z podujatia Rok vykazovania 2023 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1002/pssa.202200776 článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence Vertical GaN Transistor with Semi-Insulating Channe.pdf Neprístupný/archív 1 MB 3 Vydavateľská verzia rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2023 2022 2 Q3 0.477 Q2
Počet záznamov: 1