Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices

Počet záznamov: 1

Názov	Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by liquid-injection MOCVD for improved thermal management of Ga2O3 power devices : Special Collection: Gallium Oxide Materials and Devices
Autor	Hrubišák Fedor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Zheng X
	Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Mičušík Matej 1977- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV ^ORCID
	Nádaždy Peter 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Egyenes Fridrich SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Keshtkar Javad SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kováčová Eva 1966 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Pomeroy J.W.
	Kuball M.
	Gucmann Filip 1987 SAVELEK ; SAVCEMEA - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	. Vol. 41 (2023), no. 042708 Journal of Vacuum Science and Technology A
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2023
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1116/6.0002649

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Heteroepitaxial growth of Ga2O3 on 4H-SiC by.pdf	Prístupný	5.2 MB	4	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2023	2022	2.9	Q2	0.55	Q2

Počet záznamov: 1