Počet záznamov: 1  

Optimisation criteria for the process electron beam lithography of negative AR-N7520 resists

  1. NázovOptimisation criteria for the process electron beam lithography of negative AR-N7520 resists
    Autor Koleva Elena
    Spoluautori Kostič Ivan 1955- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID    ORCID

    Andok Robert 1973- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID    ORCID

    Vutova Katia

    Benčurová Anna 1966- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID

    Konečníková Anna 1955- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID

    Zdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series. Vol. 2443, no. 1 (2023), art. no. 012007
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyFETISENKOVA, Ksenia - MELNIKOV, Alexander - KUZMENKO, Vitaly - MIAKONKIKH, Andrey - ROGOZHIN, Alexander - TATARINTSEV, Andrey - GLAZ, Oleg - KISELEVSKY, Vsevolod. Mechanism of Improving Etching Selectivity for E-Beam Resist AR-N 7520 in the Formation of Photonic Silicon Structures. In PROCESSES, 2024, vol. 12, no. 9, pp. Dostupné na: https://doi.org/10.3390/pr12091941.
    SINGH, Rahul - BERTELSEN, Christian Vinther - DIMAKI, Maria - SVENDSEN, Winnie Edith. Dry etch performance of Novolak-based negative e-beam resist. In MICRO AND NANO ENGINEERING, 2024, vol. 25, no., pp. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mne.2024.100284.
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2023
    Registrované vSCOPUS
    DOI 10.1088/1742-6596/2443/1/012007
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    N
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    202320220.183
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.