Modeling the flexoelectric effect in semiconductors via a second-order collocation MFEM

Počet záznamov: 1

Názov	Modeling the flexoelectric effect in semiconductors via a second-order collocation MFEM
Autor	Tian Xinpeng
Spoluautori	Zhou Haiyang
	Deng Qian
	Yan Zhi
	Sládek Ján SAVSTAV - Ústav stavebníctva a architektúry SAV ^RID ^ORCID
	Sládek Vladimír SAVSTAV - Ústav stavebníctva a architektúry SAV

Zdroj.dok.	International Journal of Mechanical Sciences. Vol. 264 (2024), art. no. 108837, 15 p.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	GB - Veľká Británia
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2024
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.ijmecsci.2023.108837

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Modeling the flexoelectric effect in semiconductors via a second-order collocation MFEM.pdf	Neprístupný/archív	2.1 MB	2	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2024	2023	7.1	Q1	1.65	Q1

Počet záznamov: 1