Počet záznamov: 1  

Optical properties of semi-insulating GaAs irradiated by fast neutrons

  1. NázovOptical properties of semi-insulating GaAs irradiated by fast neutrons
    Autor Mudroň J.
    Spoluautori Müllerová J.

    Dubecký František 1946 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Zdroj.dok. ASDAM '96. P. 245 : Proceedings of the International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - Bratislava : IEE SAS, 1996
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaSK - Slovenská republika
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    OhlasyBEN ARBIA, M. - DEMIR, I. - KAUR, N. - SAIDI, F. - ZAPPA, D. - COMINI, E. - ALTUNTAS, I. - MAAREF, H. Experimental insights toward carrier localization in in-rich InGaAs/InP as candidate for SWIR detection: Microstructural analysis combined with optical investigation. In MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. ISSN 1369-8001, JAN 2023, vol. 153. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107149.
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok z podujatia
    Rok vykazovania1996
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    1996
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.