Technology related issues regarding fabrication of AlGaN/GaN-based MOSHFETs with GdScO3 as dielectric

Počet záznamov: 1

Názov	Technology related issues regarding fabrication of AlGaN/GaN-based MOSHFETs with GdScO3 as dielectric
Autor	Heidelberg G.
Spoluautori	Roeckerath M.
	Steins R.
	Stefaniak M.
	Fox A.
	Schubert J.
	Kaluza N.
	Marso M.
	Lüth Hans
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

Zdroj.dok.	ASDAM 2006 : proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 241-244. - Piscataway : IEEE, 2006 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok
Rok vykazovania	2006

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2006

Počet záznamov: 1