Počet záznamov: 1
Impact of ZnO gate interfacial layer on piezoelectric response of AlGaN/GaN C-HEMT based ring gate capacitor
Názov Impact of ZnO gate interfacial layer on piezoelectric response of AlGaN/GaN C-HEMT based ring gate capacitor Autor Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Vallo Martin SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Držík Milan Bruncko J. Jakovenko J. Kutiš V. Rýger Ivan 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Husák M. Zdroj.dok. Sensors and Actuators A. Vol. 172, (2011), p. 386-391 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy WANG, C. - ZHANG, K. - HE, Y.L. - ZHENG, X.F. - MA, X.H. - ZHANG, J.C. - HAO, Y. In CHINESE PHYSICS LETTERS. DEC 2014, vol. 31, no. 12. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2011 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1016/j.sna.2011.09.028 článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2011 2010 3.370 Q1 1.434 Q1
Počet záznamov: 1