Počet záznamov: 1  

Characterization of epitaxial 4H-SiC for photon detectors

  1. NázovCharacterization of epitaxial 4H-SiC for photon detectors
    Autor Dubecký František 1946 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Gombia E.

    Ferrari C.

    Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Baldini M.

    Kováč Jaroslav

    Baček D.

    Kováč P.

    Hrkút Pavol 1948- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID

    Nečas V.

    Zdroj.dok. Journal of Instrumentation. Vol. 7 (2012), P09005
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyLIU, Lin-Yue - WANG, Ling - JIN, Peng - LIU, Jin-Liang - ZHANG, Xian-Peng - CHEN, Liang - ZHANG, Jiang-Fu - OUYANG, Xiao-Ping - LIU, Ao - HUANG, Run-Hua - BAI, Song. The Fabrication and Characterization of Ni/4H-SiC Schottky Diode Radiation Detectors with a Sensitive Area of up to 4 cm(2). In SENSORS. ISSN 1424-8220, 2017, vol. 17, no. 10, pp.
    OU, Haiyan - SHI, Xiaodong - LU, Yaoqin - KOLLMUSS, Manuel - STEINER, Johannes - TABOURET, Vincent - SYVAJARVI, Mikael - WELLMANN, Peter - CHAUSSENDE, Didier. Novel Photonic Applications of Silicon Carbide. In MATERIALS, 2023, vol. 16, no. 3, pp. Dostupné na: https://doi.org/10.3390/ma16031014.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1088/1748-0221/7/09/P09005
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201220111.869Q11.126Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.