Počet záznamov: 1  

Resistive switching in nonplanar HfO2-based structures with variable series resistance

  1. NázovResistive switching in nonplanar HfO2-based structures with variable series resistance
    Autor Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Jančovič Peter 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Šmatko Vasilij 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Zdroj.dok. Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 33, (2015), 01A108, Microelectronics and Nanometer Structures
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyHARDTDEGEN, A. - LA TORRE, C. - ZHANG, H. - FUNCK, C. - MENZEL, S. - WASER, R. - HOFFMANN-EIFERT, S. In 2016 IEEE 8TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW). 2016.
    HARDTDEGEN, A. - LA TORRE, C. - CUPPERS, F. - MENZEL, S. - WASER, R. - HOFFMANN-EIFERT, S. Improved Switching Stability and the Effect of an Internal Series Resistor in HfO2/TiOX Bilayer ReRAM Cells. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. AUG 2018, vol. 65, no. 8, p. 3229-3236.
    LIN, Chih-Yang - PAN, Chih-Hung - CHEN, Po-Hsun - CHANG, Ting-Chang - TSAI, Tsung-Ming - CHEN, Chun-Kuei - LIN, Yun-Hsuan - HUANG, Wei-Chen - LIN, Chun-Chu - CHEN, Wen-Chung. Predicting voltage induced positive-feedback effect on dynamic reset behavior in resistance switching device. In JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS. ISSN 0022-3727, 2019, vol. 52, no. 9, pp.
    CUEPPERS, F. - MENZEL, S. - BENGEL, C. - HARDTDEGEN, A. - VON WITZLEBEN, M. - BOETTGER, U. - WASER, R. - HOFFMANN-EIFERT, S. Exploiting the switching dynamics of HfO2-based ReRAM devices for reliable analog memristive behavior. In APL MATERIALS. ISSN 2166-532X, 2019, vol. 7, no. 9, pp.
    YANG, Jinwoong - CHO, Hyojong - RYU, Hojeong - ISMAIL, Muhammad - MAHATA, Chandreswar - KIM, Sungjun. Tunable Synaptic Characteristics of a Ti/TiOinf2/inf/Si Memory Device for Reservoir Computing. In ACS Applied Materials and Interfaces, 2021-07-21, 13, 28, pp. 33244-33252. ISSN 19448244. Dostupné na: https://doi.org/10.1021/acsami.1c06618.
    OSTROVSKII, V. - FEDOSEEV, P. - BOBROVA, Y. - BUTUSOV, D. Structural and Parametric Identification of Knowm Memristors. In NANOMATERIALS. JAN 2022, vol. 12, no. 1. Dostupné na: https://doi.org/10.3390/nano12010063.
    YAN, J.Q. - SONG, H.J. - ZHONG, X.L. - WANG, J.B. - GUO, H.X. - OUYANG, X.P. Effect of Proton Irradiation Fluence on the Linearity and Symmetry of Conductance Tuning of a HfOsubx/sub/TiOsubx/sub Heterojunction-Based Memristor. In IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. ISSN 0018-9499, MAY 2023, vol. 70, no. 5, p. 807-814. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/TNS.2023.3267606.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2015
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1116/1.4905727
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201520141.464Q20.509Q2
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.