Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique

Počet záznamov: 1

Názov	Identification of electrically stressed regions in AlGaN/GaN-on-Si Schottky barrier diode using EBIC technique
Autor	Priesol J.
Spoluautori	Šatka Alexander 1960 SAVMER - Ústav merania SAV ^SCOPUS ^RID ^ORCID
	Chvála A.
	Stoffels S.
	De Jaeger B.
	Decoutere S.

Zdroj.dok.	IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 68, no. 1 (2021), p. 216-221
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2021
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1109/TED.2020.3039756

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Identification of electrically stressed regions.pdf	Neprístupný/archív	2 MB	1	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2021	2020	2.917	Q2	0.828	Q1

Počet záznamov: 1