Počet záznamov: 1  

PMMA resist profile and proximity effect dependence on the electron-beam lithography process parameters

  1. NázovPMMA resist profile and proximity effect dependence on the electron-beam lithography process parameters
    Autor Kostič Ivan 1955- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID    ORCID
    Spoluautori Vutova Katia

    Koleva Elena

    Benčurová Anna 1966- SAVINFO - Ústav informatiky SAV    SCOPUS    RID

    Zdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series. Vol. 1492 (2020), art. no. 012015
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyLIU, Qing - CHEN, Yiqin - FENG, Zhanyong - SHU, Zhiwen - DUAN, Huigao. Resist nanokirigami for multipurpose patterning. In NATIONAL SCIENCE REVIEW, 2022, vol. 9, no. 11, pp. ISSN 2095-5138. Dostupné na: https://doi.org/10.1093/nsr/nwab231.
    ZHENG YU - GAO PIAO-PIAO - TANG XIN - LIU JIAN-ZHE - DUAN JI-AN. Effects of electron beam lithography process parameters on structure of silicon optical waveguide based on SOI. In JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY, 2022, vol. 29, no. 10, pp. 3335-3345. ISSN 2095-2899. Dostupné na: https://doi.org/10.1007/s11771-022-5152-0.
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2020
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    DOI 10.1088/1742-6596/1492/1/012015
    článok

    článok

    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    PMMA resist profile and proximity effect dependence on the electron-beam lithography process parameters.pdfPrístupný748.1 KB1Vydavateľská verzia
    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    N
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    202020190.227Q3
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.