Počet záznamov: 1  

Local increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaN/GaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer

  1. NázovLocal increase in compressive strain (GaN) in gate recessed AlGaN/GaN MISHFET structures induced by an amorphous AlN dielectric layer
    Autor Mikulics M.
    Spoluautori Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Sofer Z.

    Mayer J.

    Hartdegen H.

    Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 36 (2021), no. 095040
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyBHARDWAJ, N. - UPADHYAY, B.B. - YADAV, Y.K. - SURAPANENI, S. - GANGULY, S. - SAHA, D. Thermally grown Nb-oxide for GaN-based MOS-diodes. In APPLIED SURFACE SCIENCE. ISSN 0169-4332, JAN 15 2022, vol. 572. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.151332.
    Liu, Y., Chen, S., Cheng, Z., Wang, T., Huang, C., Jiang, G., Zhang, H., Cai, Y.: Temperature dependence of the strain of the AlGaN barrier layer under the gate in AlGaN/AlN/GaN HFETs In Micro and NanostructuresVolume 164 (2022) Article number 107160.
    HUANG, J.H. - LIU, W. - CHENG, X. - MIRANDA, A. - DWIR, B. - RUDRA, A. - KAPON, E. - WONG, C.W. Single site-controlled inverted pyramidal InGaAs QD-nanocavity operating at the onset of the strong coupling regime. In JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-8979, DEC 14 2023, vol. 134, no. 22. Dostupné na: https://doi.org/10.1063/5.0175055.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2021
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1088/1361-6641/ac1a28
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    202120202.352Q30.712Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.