3C-SiC growth on 6H-SiC (0001) substrates

Počet záznamov: 1

Názov	3C-SiC growth on 6H-SiC (0001) substrates
Autor	Maťko Igor 1963 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^SCOPUS ^ORCID
Spoluautori	Chenevier B.
	Audier M.
	Madar R.
	Diani M.
	Simon L.
	Kubler L.
	Aubel D.

Zdroj.dok.	Materials Science Forum. Vol. 389 (2002), p. 315-318
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADC
Rok vykazovania	2002

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2002

Počet záznamov: 1