The influence of technology and switching parameters on resistive switching behavious of Pt/HfO2/TiN MIM structures

Počet záznamov: 1

Názov	The influence of technology and switching parameters on resistive switching behavious of Pt/HfO2/TiN MIM structures
Autor	Paskaleva A.
Spoluautori	Hudec Boris SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Jančovič Peter 1990 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Spassov D.

Zdroj.dok.	Facta universitatis : series: Electronics and Energetics. Vol. 27, (2014), p. 621-630
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	ATTARIMASHALKOUBEH, H. - LEBLEHICI, Y. In-depth Structure and Electrical Characteristics Study of HfOx-based Resistive Random Access Memories (ReRAMs). In 2019 IEEE 31ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS (MIEL 2019). ISSN 2159-1660, 2019, p. 79-82.
Kategória	ADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2014

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	N

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2014

Počet záznamov: 1