Počet záznamov: 1
New RP-CVD grown ultra-high performance selectively B-doped pure-Ge 20 nm QWs on (100)Si as basis material for post-Si CMOS technology
Názov New RP-CVD grown ultra-high performance selectively B-doped pure-Ge 20 nm QWs on (100)Si as basis material for post-Si CMOS technology Autor Mironov O.A. Spoluautori Hassan A.H.A. Uhlarz M. Kiatgamolchai S. Dobbie A. Morris R.J.H. Halpin J.E. Rhead S.D. Allred P. Myronov M. Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV RID RID ORCID Berkutov I.B. Leadley D.R. Zdroj.dok. Physica status solidi C. Current topics in solid state physics. Vol. 11, no. 1 (2014), p. 61-64 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS DOI 10.1002/pssc.201300164 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore N rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2014 2013 0.439 Q3
Počet záznamov: 1