Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements

Počet záznamov: 1

Názov	Influence of SiON interlayer on the diamond/GaN heterostructures studied by Raman and SIMS measurements
Autor	Izsák Tibor SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Babchenko Oleg 1983
	Vincze A.
	Vojs M.
	Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kromka A.

Zdroj.dok.	Materials Science and Engineering B - Solid-State Materials for Advanced Technology. Vol. 273 (2021), no. 115434
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2021
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.mseb.2021.115434

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Influence of SiON interlayer on the diamond GaN heterostructures studied by Raman.pdf	Prístupný	2.7 MB	0	Autorský preprint
	Influence of SiON interlayer on the diamond GaN heterostructures studied.pdf	Neprístupný/archív	2.9 MB	1	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2021	2020	4.051	Q2	0.850	Q1

Počet záznamov: 1