Počet záznamov: 1
In(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD
Názov In(Ga)N 3D growth on GaN-buffered on-axis and off-axis (0001) sapphire substrates by MOCVD Autor Rosová Alica 1962 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Eliáš Peter 1964 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Nanomaterials-Basel. Vol. 12 (2022), no. 3496 Jazyk dok. eng - angličtina Krajina CH - Švajčiarsko Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2022 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.3390/nano12193496 článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence In(Ga)N 3D Growth on GaN-Buffered On-Axis and Off-Axis (0001) Sapphire Substrates by MOCVD.pdf Prístupný 5.4 MB 5 Vydavateľská verzia rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2022 2021 5.719 Q1 0.839 Q1
Počet záznamov: 1