GaAs MSM photodiode using the highly doped channel layer of a heterostructure MESFET

Počet záznamov: 1

Názov	GaAs MSM photodiode using the highly doped channel layer of a heterostructure MESFET
Autor	Porges Marcel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Šafránková Jaroslava SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Tegude F.J.
	von Wendorff W.
	Jager D.

Spoluautori	Kraus J.
Zdroj.dok.	Physica Status Solidi A. Vol. 136, (1993), p. K65
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	BR - Brazília
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Heslá	GaAs * MESFET * elektrotechnika slaboprúdová
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	1993

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
1993

Počet záznamov: 1