Počet záznamov: 1  

Structural and Electrical Characterization of SiGe Heterostructures Containing a Pure Ge Strained Quantum Well

  1. NázovStructural and Electrical Characterization of SiGe Heterostructures Containing a Pure Ge Strained Quantum Well
    Autor Hassan A.H.A.
    Spoluautori Mironov O.A.

    Dobbie A.

    Morris R.J.H.

    Halpin J.E.

    Shah V.A.

    Myronov M.

    Leadley D.R.

    Feher Alexander

    Čižmár E.

    Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV    RID    RID    ORCID

    Andrievskii V.V.

    Berkutov I.B.

    Zdroj.dok. ELNANO 2013 : 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, Kiev, Ukraine, 16 - 19 April 2013. p. 51-55. - [S.l. : s.n.], 2013 ; ELNANO 2013 International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    OhlasyLU, T. M. - HARRIS, C. T. - HUANG, S. H. - CHUANG, Y. - LI, J. Y. - LIU, C. W. Effective g factor of low-density two-dimensional holes in a Ge quantum well. In Applied Physics Letters. ISSN 00036951, 2017-09-04, 111, 10.
    KategóriaAFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2013
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    DOI 10.1109/ELNANO.2013.6552021
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2013
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.